ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) - دانلود رایگان
دانلود رایگان تعداد اسلاید : 20 ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) الکترونیک دیجیتال ترانزيستور اثر ميدان Field Ef
دانلود رایگان
| ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET)فرمت فایل: پاورپوینت - powerpoint, ( -- قابل ویرایش ) ترانزيستورهاي اثر ميدان (FET) الکترونیک دیجیتال ترانزيستور اثر ميدان Field Effect Transistor الکترونیک دیجیتال ترانزیستور اثر میدان، دسته ای ازترانزيستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن ها توسط یک ميدان الكتريكي صورت می گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می توان آن ها را جزو ترانزیستورهای تک قطبی محسوب کرد كلمه ترانزيستور از دو كلمه ترانس (انتقال) و رزيستور (مقاومت) تشكيل شده است و قطعه اي است كه از طريق انتقال مقاومت به خروجي باعث تقويت مي شود. تعريف الکترونیک دیجیتال اگر قطعه اي سيليكن با ناخالصي نوع n به دو سر يك باتري وصل كنيم جرياني با توجه به ميزان مقاومت سيليكن در مدار جاري مي شود ورود الكترون ها خروج الكترون ها ايجاد ترانزيستور اثر ميدان (FET) الکترونیک دیجیتال نفوذ فلز سه ظرفيتي (مانند اينديم) و ايجاد ناحيه اي از نوع P با غلظتي بيش از ناحيه n و ايجاد اتصالي به نام گيت ناحيه n كانال ناميده مي شود باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن الکترونیک دیجیتال اگر هر سه پايه سورس و درين را اتصال كوتاه كنيم هيچ جرياني از كانال نمي گذرد و دو ناحيه P و n توسط ناحيه تخليه از هم جدا مي شوند. 1 الکترونیک دیجیتال اتصال منبع ولتاژ بين دو پايه درين و سورس به طوري كه درين نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث : افزايش ولتاژ باعث عبور جريان از كانال مي شود اتصال pn در گرايش معكوس قرار مي گيرد ناحيه تخليه (سد) در داخل كانال نفوذ مي كند با افزايش بيشتر ولتاژ كانال مسدود مي شود. (ولتاژ بحراني Vp) الکترونیک دیجیتال الکترونیک دیجیتال علامت اختصاري FET الکترونیک دیجیتال ترانزيستور اثر ميدان با گيت عايق شده Isolated Gate Field Effect Transistor (IGFET) الکترونیک دیجیتال الکترونیک دیجیتال الکترونیک دیجیتال Complementary MOS CMOS پرداخت آنلاین و دانلود در قسمت پایین دریافت فایل جهت کپی مطلب از ctrl+A استفاده نمایید نماید |